给出了用于带有三层多晶硅栅极的 3 相 BCCD 型高密度成像仪设计的仿真结果为确保能达到高电荷传输效率，我们考虑采用一种双栅电介质的工艺，该电介质由 650Å Si3N4 层覆盖 350Å Si02 层形成。用 SUPREM III 完成了一维过程和设备仿真，并将 PISCES IIB 用于二维设备仿真。